Подпороговый наклон является характеристикой вольтамперной характеристики полевого МОП-транзистора. В подпороговой области поведение тока стока, хотя и контролируется клеммой затвора, похоже на экспоненциально уменьшающийся ток диода со смещением в прямом направлении.
В чем важность подпорогового колебания?
Подпороговое колебание является важным параметром при моделировании режима слабой инверсии, особенно для аналоговых приложений с высоким коэффициентом усиления, схем формирования изображений и приложений с низким напряжением.
Что означает подпороговый свинг?
Подпороговый размах (S) – это показатель качества, определяющий поведение транзистора в подпороговой области. Производительность полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET) принципиально ограничена тепловым напряжением (kT/q), что приводит к теоретическому минимуму S=60 мВ/декаду.
Что такое подпороговый размах в СБИС?
Подпороговый наклон является характеристикой вольт-амперной характеристики MOSFET . … Типичный экспериментальный подпороговый размах для масштабированного полевого МОП-транзистора при комнатной температуре составляет ~ 70 мВ / дек, что слегка ухудшается из-за паразитных характеристик короткоканального полевого МОП-транзистора. Декада (декада) соответствует увеличению тока стока в 10 раз ID.
Как найти свой подпороговый свинг?
Общее выражение для подпорогового наклона (колебания) имеет вид S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. Или извышеприведенный график, при очень низком Vgs, возьмите производную от логарифмических значений Id по отношению к Vgs, а затем инвертируйте полученное значение.
6.3 Subthreshold swing
